收藏本站
4A, 20ns, Dual MOSFET Drivers
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V DD = 4V to 15V, T A = -40°C to +125°C, unless otherwise noted. Typical values are at V DD = 15V and T A = +25 ° C.) (Note 2)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
DRIVER OUTPUT (SOURCE)
V DD = 15V,
T A = +25°C
1.5
2.1
Driver Output Resistance Pulling
Up
R ON-P
I OUT_ = 100mA
V DD = 4.5V,
T A = +125°C
T A = +25°C
1.9
2.75
2.75
4
?
I OUT_ = 100mA
T A = +125°C
3.75
5.5
Peak Output Current (Sourcing)
I PK-P
V DD = 15V, C L = 10,000pF
4
A
Output-Voltage High
I OUT_ = 100mA
V DD = 4.5V
V DD = 15V
V DD -
0.55
V DD -
0.275
V
LOGIC INPUT (Note 4)
Logic 1 Input Voltage
Logic 0 Input Voltage
V IH
V IL
MAX5054A
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
(Note 5)
MAX5054A
0.7 x
V DD
2.1
0.3 x
V DD
V
V
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
0.8
Logic-Input Hysteresis
V HYS
MAX5054A
0.1 x
V DD
V
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
0.3
Logic-Input-Current Leakage
Input Capacitance
C IN
INA+, INB+, INA-, INB- = 0V or V DD
-1
+0.1
2.5
+1
μA
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS FOR V DD = 15V (Figure 1)
C L = 1000pF
4
OUT_ Rise Time
t R
C L = 5000pF
18
ns
C L = 10,000pF
C L = 1000pF
32
4
OUT_ Fall Time
t F
C L = 5000pF
15
ns
C L = 10,000pF
26
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
t D-ON
t D-OFF
C L = 10,000pF (Note 3)
C L = 10,000pF (Note 3)
10
10
20
20
34
34
ns
ns
SWITCHING CHARACTERISTICS FOR V DD = 4.5V (Figure 1)
C L = 1000pF
7
OUT_ Rise Time
t R
C L = 5000pF
37
ns
C L = 10,000pF
C L = 1000pF
85
7
OUT_ Fall Time
t F
C L = 5000pF
30
ns
C L = 10,000pF
75
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
t D-ON
t D-OFF
C L = 10,000pF (Note 3)
C L = 10,000pF (Note 3)
18
18
35
35
70
70
ns
ns
_______________________________________________________________________________________
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MAX5062AASA+ IC DRIVER HALF BRDG HS 8-SOIC
MAX5075AAUA IC DRVR FET P-P 8-UMAX
MAX5077AUD+ IC DRVR FET P-P 14-TSSOP
MAX5078BATT+T IC MOSFET DRIVER 6-TDFN
MAX5092EVKIT+ KIT EVALUATION FOR MAX5092
MAX620EWN IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18SOIC
MAX626CPA+ IC DRIVER MOSFET DUAL 8-DIP
MAX662EVKIT-SO EVAL KIT FOR MAX662
相关代理商/技术参数
MAX5056AASA+T 功能描述:功率驱动器IC 4A 20ns Dual MOSFET Drivers RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX5056AASA-T 功能描述:功率驱动器IC 4A 20ns Dual MOSFET Drivers RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX5056BASA 功能描述:功率驱动器IC 4A 20ns Dual MOSFET Drivers RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX5056BASA+ 功能描述:功率驱动器IC 4A 20ns Dual MOSFET Drivers RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX5056BASA+T 功能描述:功率驱动器IC 4A 20ns Dual MOSFET Drivers RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX5056BASA-T 功能描述:功率驱动器IC 4A 20ns Dual MOSFET Drivers RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX5057 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:4A, 20ns, Dual MOSFET Drivers
MAX5057AASA 功能描述:功率驱动器IC 4A 20ns Dual MOSFET Drivers RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube